VPD-ICPMS 晶圓表面氣相分解搭配電感耦合電漿體質譜法

VPD-ICPMS 是一個用來分析晶圓表面極微量金屬汙染程度的技術，利用HF蒸氣對晶圓表面進行蝕刻，再以配方掃描液掃描晶圓表面，進行表面汙染的回收，回收的掃描液將使用ICPMS進行分析，相較於傳統TXRF分析，偵測極限差異甚大。

●儀器型號: 客製化機台 + PerkinElmer Nexion 1000 或同等機型
●樣品種類: Bare-Si wafer 矽晶圓
●晶圓大小: 8吋/12吋
●檢測元素種類:
基本30種，可依需求調整
(Al, As, Ba, Be, Bi, B, Cd, Ca, Cr, Co, Cu, Fe, Ga, Ge, K, Li, Mg, Mn, Mo, Ni, Na, Pb, Sr, Sn, Sb, Ti, V, W, Zn, Zr)
●偵測極限:
根據元素不同，偵測極限可達1e6 ~ 1e10 atoms/cm2
●前處理需求:
若有前處理需求，可依需求進行討論配合。